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本刊欢迎涉及微电子学与固体电子学基础理论,微电子器件与电路,模拟集成电路和专用集成电路(ASIC)的设计和测试,片上系统(SOC), MEMS技术,半导体工艺和制造技术,集成电路测试与封装等领域的稿件。
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1. 稿件一经录用,第一作者的姓名与单位不能更改;
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3. 文章的参考文献最好超过10篇;
4. 文章内容经cnki学术不端检测后,重复比例不能超过10%。
5. 禁止一稿多投。若文章被录用,在发表之前,编辑部会对文章再次检测,若重复比例超过10%,仍不予以发表。
稿件格式要求:
1 标题和摘要。论文标题不超过20个汉字。中英文摘要应简明扼要,说明文章的目的,主要工作过程及使用的方法,研究工作最后得到的结果和结论。中文摘要不超过300个汉字,英文摘要不超过150个英文单词。
2. 图表。插图宽度应小于8 cm。电路仿真图及其他计算机生成的图形需用图形处理软件进行必要的处理,使图中的文字和数字符合本刊要求。若图中有坐标,需注明坐标所表示的物理量(斜体)和单位(正体)。表格提倡三线表,必要时可加辅助线。
3. 量和单位。文中的物理量和单位应符合国家有关标准。注意区分外文字母的大、小写和正、斜体,上下角标要标示清楚。计量单位请用GB3100—3102—93《量和单位》规定的法定计量单位。
4. 参考文献著录应符合国家相关标准《文后参考文献著录规则》(GB/T 7714-2005),主要有以下几种形式:
a. 专 著:[序号] 著者. 书名 [M]. 出版地: 出版者,出版年:起止页码(任选).
b. 期 刊:[序号] 著者. 篇名 [J]. 刊名,出版年;卷号(期号): 起止页码.
c. 会议论文:[序号] 著者. 篇名 [C] // 会议名称. 会议地点. 出版年:起止页码.
5. 作者简介。作者简介应包括:作者姓名(出生年),性别(民族),籍贯,职称/学位,及主要研究方向。
6. 作者署名。论文署名是一件十分严肃的事情。在论文上署名的作者应为参与论文撰写,或对论文所涉及的研究工作有贡献的人,所有署名作者均应对文章内容负责。凡合著的论文,投稿前应仔细斟酌,考虑周全,并征得所有合著者的同意。文章投稿后,第一作者一般不得改动,其他作者及署名顺序也尽量不要变动,如确需变动,应由第一作者向编辑部出示所有合著者同意并亲笔签名(盖章)的函件。文章一旦录用,第一作者不可更改。